SiT8103AI-13-18E-33.333333T 2520 XO MEMS振蕩器 SiTime黑色晶振
四腳黑色2520 33.333333M XO MEMS 雙輸出LVCMOS LVTTL 1.8V 50PP -40+85
MEMS振蕩器SiTime晶振
我們的MEMS振蕩器在我們位于德國(guó)的總部根據(jù)客戶要求進(jìn)行單獨(dú)配置.它們不僅具有高頻穩(wěn)定性,而且具有極高的抗沖擊和抗振動(dòng)能力.對(duì)于開發(fā)人員來(lái)說(shuō),一個(gè)巨大的優(yōu)勢(shì)是我們的進(jìn)口晶振MEMS振蕩器可以立即使用.在24小時(shí)內(nèi),我們的專家可以配置和運(yùn)送客戶特定的組件.這為開發(fā)人員提供了高度的靈活性,因?yàn)榧词乖陂_發(fā)過(guò)程的后期,仍然可以進(jìn)行更改.高精度有源晶振,MEMS雙輸出晶振KDS晶振

振蕩器
在晶體振蕩器領(lǐng)域,Jauch系列包括標(biāo)準(zhǔn)石英晶振晶體振蕩器（XO）、壓控振蕩器（VCXO）和溫度補(bǔ)償振蕩器（TCXO）.我們的振蕩器提供不同的輸出,如HCMOS、削波正弦、PECL或LDVS.例如,它們用于通信基礎(chǔ)設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)技術(shù),例如以太網(wǎng).我們的JOD振蕩器系列提供了一些特別的東西.JOD振蕩器具有LVDS輸出,用于以低干擾輻射傳輸高頻時(shí)鐘的場(chǎng)合.
為我們的客戶提供卓越的知識(shí)和全球分銷網(wǎng)絡(luò)智能手機(jī)晶振
“我們的實(shí)力和成功首先在于我們數(shù)十年的經(jīng)驗(yàn)和我們的技術(shù)知識(shí).這使我們能夠?yàn)榭蛻舻拿糠N應(yīng)用找到最佳解決方案.另一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于我們的全球子公司網(wǎng)絡(luò)和長(zhǎng)期銷售合作伙伴.他們確保與我們的客戶密切合作,“SteffenFritz說(shuō).
高精度有源晶振,MEMS雙輸出晶振汽車電子晶振

SiTime編程晶振編碼料號(hào)	SiTime硅晶振參數(shù)	電壓	頻率PPM	工作溫度	腳位	尺寸	制造商	系列	輸出
SIT8103AI-23-33E-100.00000X	MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVCMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AC-23-18E-33.33333X	MEMS OSC XO 33.33333MHZ LVCMOS	1.8V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AC-21-28E-26.00000X	MEMS OSC XO 26.0000MHZ LVCMOS LV	2.8V	±20ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AC-23-33E-30.00000T	MEMS OSC XO 30.0000MHZ LVCMOS LV	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AI-23-18E-33.33300X	MEMS OSC XO 33.3330MHZ LVCMOS LV	1.8V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AI-22-33E-4.00000X	MEMS OSC XO 4.0000MHZ LVCM LVTTL	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AI-23-33E-16.00000X	MEMS OSC XO 16.0000MHZ LVCMOS LV	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AI-23-33E-25.00000X	MEMS OSC XO 25.0000MHZ LVCMOS LV	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AI-23-33E-26.00000X	MEMS OSC XO 26.0000MHZ LVCMOS LV	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AI-23-18E-33.333000Y	MEMS OSC XO 33.3330MHZ LVCMOS LV	1.8V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AC-23-33E-46.08000X	MEMS OSC XO 46.0800MHZ LVCMO TTL	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，TTL
SIT8103AC-23-33E-33.33300X	MEMS OSC XO 33.3330MHZ LVCMOS LV	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL